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UGBT、MOSFET - 单
RJH1CM5DPQ-E0#T2参考图片

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RJH1CM5DPQ-E0#T2

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
30A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.7V @ 15V,15A
功率 - 最大值
245W
开关能量
1.6mJ(开), 700µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
74nC
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/100ns
测试条件
600V,15A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
200ns
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
优势价格,RJH1CM5DPQ-E0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 35A 190W TO3P
暂无价格
参考库存:35638
UGBT、MOSFET - 单
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UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
参考库存:35678
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