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UGBT、MOSFET - 单

SGF80N60UFTU参考图片

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SGF80N60UFTU

制造商:ON Semiconductor
批号:新批次
描述:IGBT 600V 80A 110W TO3PF
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	不適用於新設計
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	220A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.6V @ 15V，40A
功率 - 最大值	110W
开关能量	570µJ（开），590µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	175nC
25°C 时 Td（开/关）值	23ns/90ns
测试条件	300V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	300V，40A，5 欧姆，15V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3 整包
供应商器件封装	TO-3PF

商品其它信息

优势价格，SGF80N60UFTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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