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FET，MOSFET - 阵列

IRF7311PBF参考图片

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IRF7311PBF

制造商:Infineon Technologies
批号:新批次
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	HEXFET®
零件状态	Digi-Key 停产
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6.6A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	29 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	27nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	900pF @ 15V
功率 - 最大值	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SO

商品其它信息

优势价格，IRF7311PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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海量现货
50万现货SKU
品类不断扩充
严控渠道
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物料均可追溯
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